Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
IXTT10N100D2
MOSFET N-CH 1000V 10A TO-267
Onderdeel nummer
IXTT10N100D2
Fabrikant/merk
Serie
-
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Apparaatpakket van leverancier
TO-268
Vermogensdissipatie (max.)
695W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
Depletion Mode
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
1000V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
1.5 Ohm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
200nC @ 5V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
5320pF @ 25V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 49770 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanIXTT10N100D2
IXTT10N100D2 Elektronische componenten
IXTT10N100D2 verkoop
IXTT10N100D2 Leverancier
IXTT10N100D2 Distributeur
IXTT10N100D2 Data tafel
IXTT10N100D2 Foto's
IXTT10N100D2 Prijs
IXTT10N100D2 Aanbod
IXTT10N100D2 Laagste prijs
IXTT10N100D2 Zoekopdracht
IXTT10N100D2 Inkoop
IXTT10N100D2 Chip