Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
IXTT10N100D
MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268
Onderdeel nummer
IXTT10N100D
Fabrikant/merk
Serie
-
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Apparaatpakket van leverancier
TO-268
Vermogensdissipatie (max.)
400W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
Depletion Mode
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
1000V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
1.4 Ohm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
130nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
2500pF @ 25V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
10V
Vgs (max.)
±30V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 23660 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanIXTT10N100D
IXTT10N100D Elektronische componenten
IXTT10N100D verkoop
IXTT10N100D Leverancier
IXTT10N100D Distributeur
IXTT10N100D Data tafel
IXTT10N100D Foto's
IXTT10N100D Prijs
IXTT10N100D Aanbod
IXTT10N100D Laagste prijs
IXTT10N100D Zoekopdracht
IXTT10N100D Inkoop
IXTT10N100D Chip