Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
IXTM67N10
POWER MOSFET TO-3
Onderdeel nummer
IXTM67N10
Fabrikant/merk
Serie
GigaMOS™
Onderdeelstatus
Last Time Buy
Verpakking
-
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Through Hole
Pakket / doos
TO-204AE
Apparaatpakket van leverancier
TO-204AE
Vermogensdissipatie (max.)
300W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
100V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
67A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 33.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
260nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
4500pF @ 25V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 14726 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanIXTM67N10
IXTM67N10 Elektronische componenten
IXTM67N10 verkoop
IXTM67N10 Leverancier
IXTM67N10 Distributeur
IXTM67N10 Data tafel
IXTM67N10 Foto's
IXTM67N10 Prijs
IXTM67N10 Aanbod
IXTM67N10 Laagste prijs
IXTM67N10 Zoekopdracht
IXTM67N10 Inkoop
IXTM67N10 Chip