Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
IXTM11N80
POWER MOSFET TO-3
Onderdeel nummer
IXTM11N80
Fabrikant/merk
Serie
GigaMOS™
Onderdeelstatus
Last Time Buy
Verpakking
-
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Through Hole
Pakket / doos
TO-204AA, TO-3
Apparaatpakket van leverancier
TO-204AA
Vermogensdissipatie (max.)
300W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
800V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
950 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
170nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
4500pF @ 25V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 23450 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanIXTM11N80
IXTM11N80 Elektronische componenten
IXTM11N80 verkoop
IXTM11N80 Leverancier
IXTM11N80 Distributeur
IXTM11N80 Data tafel
IXTM11N80 Foto's
IXTM11N80 Prijs
IXTM11N80 Aanbod
IXTM11N80 Laagste prijs
IXTM11N80 Zoekopdracht
IXTM11N80 Inkoop
IXTM11N80 Chip