Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
IXTM12N100
POWER MOSFET TO-3
Onderdeel nummer
IXTM12N100
Fabrikant/merk
Serie
GigaMOS™
Onderdeelstatus
Last Time Buy
Verpakking
-
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Through Hole
Pakket / doos
TO-204AA, TO-3
Apparaatpakket van leverancier
TO-204AA
Vermogensdissipatie (max.)
300W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
1000V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
1.05 Ohm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
170nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
4000pF @ 25V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 23824 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanIXTM12N100
IXTM12N100 Elektronische componenten
IXTM12N100 verkoop
IXTM12N100 Leverancier
IXTM12N100 Distributeur
IXTM12N100 Data tafel
IXTM12N100 Foto's
IXTM12N100 Prijs
IXTM12N100 Aanbod
IXTM12N100 Laagste prijs
IXTM12N100 Zoekopdracht
IXTM12N100 Inkoop
IXTM12N100 Chip