VBsemi (Wei Bi)
Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
NTJD4401NT1G-VB
NTJD4401NT1G-VB
Onderdeel nummer
NTJD4401NT1G-VB
Categorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabrikant/merk
VBsemi (Wei Bi)
Inkapseling
-
Inpakken
taping
Aantal pakketten
3000
Beschrijving
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 92282 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Dual P-Channel, High Side Load Switch with Level Shift, Power MOSFET, -8V, ±1.3A, 175mΩ
onsemi (Ansemi)
8V Dual P-Channel, High Side Load Switch with Level Shift, Power MOSFET, -8V, ±1.3A, 175mΩ
onsemi (Ansemi)
2 N-Channel 30V 250mA Dual N-Channel Small Signal MOSFET 30V 250mA 1.5Ω
onsemi (Ansemi)
2 N-channel 60V 295mA Dual N?Channel Power MOSFET with ESD Protection 60V, 295mA, 1.6Ω
onsemi (Ansemi)
Trefwoorden vanNTJD4401NT1G-VB
NTJD4401NT1G-VB Elektronische componenten
NTJD4401NT1G-VB verkoop
NTJD4401NT1G-VB Leverancier
NTJD4401NT1G-VB Distributeur
NTJD4401NT1G-VB Data tafel
NTJD4401NT1G-VB Foto's
NTJD4401NT1G-VB Prijs
NTJD4401NT1G-VB Aanbod
NTJD4401NT1G-VB Laagste prijs
NTJD4401NT1G-VB Zoekopdracht
NTJD4401NT1G-VB Inkoop
NTJD4401NT1G-VB Chip