onsemi (Ansemi)
Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
NTJD4105CT1G
Complementary, Small Signal MOSFETs
Onderdeel nummer
NTJD4105CT1G
Categorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabrikant/merk
onsemi (Ansemi)
Inkapseling
SC-88-6
Inpakken
taping
Aantal pakketten
3000
Beschrijving
This complementary dual device uses a small encapsulation (2 x 2 mm) and low RDS(on) MOSFETs to achieve the smallest footprint and improve circuit efficiency. The low RDS(on) performance is ideal for single-cell or dual-cell Li-ion battery powered devices such as cell phones, media players, digital cameras and PDAs.
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 67240 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Dual P-Channel, High Side Load Switch with Level Shift, Power MOSFET, -8V, ±1.3A, 175mΩ
onsemi (Ansemi)
8V Dual P-Channel, High Side Load Switch with Level Shift, Power MOSFET, -8V, ±1.3A, 175mΩ
onsemi (Ansemi)
2 N-Channel 30V 250mA Dual N-Channel Small Signal MOSFET 30V 250mA 1.5Ω
onsemi (Ansemi)
2 N-channel 60V 295mA Dual N?Channel Power MOSFET with ESD Protection 60V, 295mA, 1.6Ω
onsemi (Ansemi)
Trefwoorden vanNTJD4105CT1G
NTJD4105CT1G Elektronische componenten
NTJD4105CT1G verkoop
NTJD4105CT1G Leverancier
NTJD4105CT1G Distributeur
NTJD4105CT1G Data tafel
NTJD4105CT1G Foto's
NTJD4105CT1G Prijs
NTJD4105CT1G Aanbod
NTJD4105CT1G Laagste prijs
NTJD4105CT1G Zoekopdracht
NTJD4105CT1G Inkoop
NTJD4105CT1G Chip