SISC06DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V
Onderdeel nummer
SISC06DN-T1-GE3
Fabrikant/merk
Serie
TrenchFET® Gen IV
Onderdeelstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
PowerPAK® 1212-8
Apparaatpakket van leverancier
PowerPAK® 1212-8
Vermogensdissipatie (max.)
3.7W (Ta), 46.3W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
Schottky Diode (Isolated)
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
30V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
27.6A (Ta), 40A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
2.7 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
58nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
2455pF @ 15V
Vgs (max.)
+20V, -16V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
4.5V, 10V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 31266 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanSISC06DN-T1-GE3
SISC06DN-T1-GE3 Elektronische componenten
SISC06DN-T1-GE3 verkoop
SISC06DN-T1-GE3 Leverancier
SISC06DN-T1-GE3 Distributeur
SISC06DN-T1-GE3 Data tafel
SISC06DN-T1-GE3 Foto's
SISC06DN-T1-GE3 Prijs
SISC06DN-T1-GE3 Aanbod
SISC06DN-T1-GE3 Laagste prijs
SISC06DN-T1-GE3 Zoekopdracht
SISC06DN-T1-GE3 Inkoop
SISC06DN-T1-GE3 Chip