Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
SIHU3N50D-E3
MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK
Onderdeel nummer
SIHU3N50D-E3
Fabrikant/merk
Serie
-
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Through Hole
Pakket / doos
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Apparaatpakket van leverancier
TO-251AA
Vermogensdissipatie (max.)
69W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
500V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
3.2 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
175pF @ 100V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
10V
Vgs (max.)
±30V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 30137 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanSIHU3N50D-E3
SIHU3N50D-E3 Elektronische componenten
SIHU3N50D-E3 verkoop
SIHU3N50D-E3 Leverancier
SIHU3N50D-E3 Distributeur
SIHU3N50D-E3 Data tafel
SIHU3N50D-E3 Foto's
SIHU3N50D-E3 Prijs
SIHU3N50D-E3 Aanbod
SIHU3N50D-E3 Laagste prijs
SIHU3N50D-E3 Zoekopdracht
SIHU3N50D-E3 Inkoop
SIHU3N50D-E3 Chip