Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
SI4100DY-T1-E3
MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC
Onderdeel nummer
SI4100DY-T1-E3
Fabrikant/merk
Serie
TrenchFET®
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Apparaatpakket van leverancier
8-SO
Vermogensdissipatie (max.)
2.5W (Ta), 6W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
100V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
6.8A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
63 mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
600pF @ 50V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
6V, 10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 36656 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanSI4100DY-T1-E3
SI4100DY-T1-E3 Elektronische componenten
SI4100DY-T1-E3 verkoop
SI4100DY-T1-E3 Leverancier
SI4100DY-T1-E3 Distributeur
SI4100DY-T1-E3 Data tafel
SI4100DY-T1-E3 Foto's
SI4100DY-T1-E3 Prijs
SI4100DY-T1-E3 Aanbod
SI4100DY-T1-E3 Laagste prijs
SI4100DY-T1-E3 Zoekopdracht
SI4100DY-T1-E3 Inkoop
SI4100DY-T1-E3 Chip