IRLD120PBF
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
Onderdeel nummer
IRLD120PBF
Fabrikant/merk
Serie
-
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montage type
Through Hole
Pakket / doos
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Apparaatpakket van leverancier
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Vermogensdissipatie (max.)
1.3W (Ta)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
100V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
1.3A (Ta)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
270 mOhm @ 780mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 5V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
490pF @ 25V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
4V, 5V
Vgs (max.)
±10V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 34633 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanIRLD120PBF
IRLD120PBF Elektronische componenten
IRLD120PBF verkoop
IRLD120PBF Leverancier
IRLD120PBF Distributeur
IRLD120PBF Data tafel
IRLD120PBF Foto's
IRLD120PBF Prijs
IRLD120PBF Aanbod
IRLD120PBF Laagste prijs
IRLD120PBF Zoekopdracht
IRLD120PBF Inkoop
IRLD120PBF Chip