IRLD120
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
Onderdeel nummer
IRLD120
Fabrikant/merk
Serie
-
Onderdeelstatus
Obsolete
Verpakking
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montage type
Through Hole
Pakket / doos
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Apparaatpakket van leverancier
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Vermogensdissipatie (max.)
1.3W (Ta)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
100V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
1.3A (Ta)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
270 mOhm @ 780mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 5V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
490pF @ 25V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
4V, 5V
Vgs (max.)
±10V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 46699 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanIRLD120
IRLD120 Elektronische componenten
IRLD120 verkoop
IRLD120 Leverancier
IRLD120 Distributeur
IRLD120 Data tafel
IRLD120 Foto's
IRLD120 Prijs
IRLD120 Aanbod
IRLD120 Laagste prijs
IRLD120 Zoekopdracht
IRLD120 Inkoop
IRLD120 Chip