Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
SCTWA50N120
MOSFET N-CH 1200V 65A HIP247
Onderdeel nummer
SCTWA50N120
Fabrikant/merk
Serie
-
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
-
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 200°C (TJ)
Montage type
Through Hole
Pakket / doos
TO-247-3
Apparaatpakket van leverancier
HiP247™
Vermogensdissipatie (max.)
318W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
1200V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
65A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
69 mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
122nC @ 20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
1900pF @ 400V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
20V
Vgs (max.)
+25V, -10V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 48341 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanSCTWA50N120
SCTWA50N120 Elektronische componenten
SCTWA50N120 verkoop
SCTWA50N120 Leverancier
SCTWA50N120 Distributeur
SCTWA50N120 Data tafel
SCTWA50N120 Foto's
SCTWA50N120 Prijs
SCTWA50N120 Aanbod
SCTWA50N120 Laagste prijs
SCTWA50N120 Zoekopdracht
SCTWA50N120 Inkoop
SCTWA50N120 Chip