Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
SCT10N120
MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3
Onderdeel nummer
SCT10N120
Fabrikant/merk
Serie
-
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tube
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 200°C (TJ)
Montage type
Through Hole
Pakket / doos
TO-247-3
Apparaatpakket van leverancier
HiP247™
Vermogensdissipatie (max.)
150W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
1200V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
690 mOhm @ 6A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
290pF @ 400V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
20V
Vgs (max.)
+25V, -10V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 45216 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanSCT10N120
SCT10N120 Elektronische componenten
SCT10N120 verkoop
SCT10N120 Leverancier
SCT10N120 Distributeur
SCT10N120 Data tafel
SCT10N120 Foto's
SCT10N120 Prijs
SCT10N120 Aanbod
SCT10N120 Laagste prijs
SCT10N120 Zoekopdracht
SCT10N120 Inkoop
SCT10N120 Chip