Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
RQ3E180GNTB
MOSFET N-CH 30V 18A 8-HSMT
Onderdeel nummer
RQ3E180GNTB
Fabrikant/merk
Serie
-
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
8-PowerVDFN
Apparaatpakket van leverancier
8-HSMT (3.2x3)
Vermogensdissipatie (max.)
2W (Ta)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
30V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
18A (Ta)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
4.3 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
22.4nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
1520pF @ 15V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
4.5V, 10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 46490 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanRQ3E180GNTB
RQ3E180GNTB Elektronische componenten
RQ3E180GNTB verkoop
RQ3E180GNTB Leverancier
RQ3E180GNTB Distributeur
RQ3E180GNTB Data tafel
RQ3E180GNTB Foto's
RQ3E180GNTB Prijs
RQ3E180GNTB Aanbod
RQ3E180GNTB Laagste prijs
RQ3E180GNTB Zoekopdracht
RQ3E180GNTB Inkoop
RQ3E180GNTB Chip