Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
RQ3E070BNTB
MOSFET N-CH 30V 7A HSMT8
Onderdeel nummer
RQ3E070BNTB
Fabrikant/merk
Serie
-
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
8-PowerVDFN
Apparaatpakket van leverancier
8-HSMT (3.2x3)
Vermogensdissipatie (max.)
2W (Ta)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
30V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
7A (Ta)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
27 mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
8.9nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
410pF @ 15V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
4.5V, 10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 52164 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanRQ3E070BNTB
RQ3E070BNTB Elektronische componenten
RQ3E070BNTB verkoop
RQ3E070BNTB Leverancier
RQ3E070BNTB Distributeur
RQ3E070BNTB Data tafel
RQ3E070BNTB Foto's
RQ3E070BNTB Prijs
RQ3E070BNTB Aanbod
RQ3E070BNTB Laagste prijs
RQ3E070BNTB Zoekopdracht
RQ3E070BNTB Inkoop
RQ3E070BNTB Chip