Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
RQ3E180BNTB
MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT
Onderdeel nummer
RQ3E180BNTB
Fabrikant/merk
Serie
-
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
8-PowerVDFN
Apparaatpakket van leverancier
8-HSMT (3.2x3)
Vermogensdissipatie (max.)
2W (Ta), 20W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
30V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
39A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
3.9 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
37nC @ 4.5V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
3500pF @ 15V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
4.5V, 10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 44717 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanRQ3E180BNTB
RQ3E180BNTB Elektronische componenten
RQ3E180BNTB verkoop
RQ3E180BNTB Leverancier
RQ3E180BNTB Distributeur
RQ3E180BNTB Data tafel
RQ3E180BNTB Foto's
RQ3E180BNTB Prijs
RQ3E180BNTB Aanbod
RQ3E180BNTB Laagste prijs
RQ3E180BNTB Zoekopdracht
RQ3E180BNTB Inkoop
RQ3E180BNTB Chip