Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
RQ3E180AJTB
MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8
Onderdeel nummer
RQ3E180AJTB
Fabrikant/merk
Serie
-
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
8-PowerVDFN
Apparaatpakket van leverancier
8-HSMT (3.2x3)
Vermogensdissipatie (max.)
2W (Ta), 30W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
30V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
18A (Ta), 30A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
4.5 mOhm @ 18A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 11mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
39nC @ 4.5V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
4290pF @ 15V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
2.5V, 4.5V
Vgs (max.)
±12V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 7962 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanRQ3E180AJTB
RQ3E180AJTB Elektronische componenten
RQ3E180AJTB verkoop
RQ3E180AJTB Leverancier
RQ3E180AJTB Distributeur
RQ3E180AJTB Data tafel
RQ3E180AJTB Foto's
RQ3E180AJTB Prijs
RQ3E180AJTB Aanbod
RQ3E180AJTB Laagste prijs
RQ3E180AJTB Zoekopdracht
RQ3E180AJTB Inkoop
RQ3E180AJTB Chip