Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
RQ3E130BNTB
MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8
Onderdeel nummer
RQ3E130BNTB
Fabrikant/merk
Serie
-
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
8-PowerVDFN
Apparaatpakket van leverancier
8-HSMT (3.2x3)
Vermogensdissipatie (max.)
2W (Ta)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
30V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
13A (Ta)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
6 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
1900pF @ 15V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
4.5V, 10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 22496 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanRQ3E130BNTB
RQ3E130BNTB Elektronische componenten
RQ3E130BNTB verkoop
RQ3E130BNTB Leverancier
RQ3E130BNTB Distributeur
RQ3E130BNTB Data tafel
RQ3E130BNTB Foto's
RQ3E130BNTB Prijs
RQ3E130BNTB Aanbod
RQ3E130BNTB Laagste prijs
RQ3E130BNTB Zoekopdracht
RQ3E130BNTB Inkoop
RQ3E130BNTB Chip