Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
RQ3E120GNTB
MOSFET N-CH 30V 12A 8-HSMT
Onderdeel nummer
RQ3E120GNTB
Fabrikant/merk
Serie
-
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
8-PowerVDFN
Apparaatpakket van leverancier
8-HSMT (3.2x3)
Vermogensdissipatie (max.)
2W (Ta), 16W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
30V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
8.8 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
590pF @ 15V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
4.5V, 10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 13475 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanRQ3E120GNTB
RQ3E120GNTB Elektronische componenten
RQ3E120GNTB verkoop
RQ3E120GNTB Leverancier
RQ3E120GNTB Distributeur
RQ3E120GNTB Data tafel
RQ3E120GNTB Foto's
RQ3E120GNTB Prijs
RQ3E120GNTB Aanbod
RQ3E120GNTB Laagste prijs
RQ3E120GNTB Zoekopdracht
RQ3E120GNTB Inkoop
RQ3E120GNTB Chip