Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
RQ3E100MNTB1
MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8
Onderdeel nummer
RQ3E100MNTB1
Fabrikant/merk
Serie
-
Onderdeelstatus
Not For New Designs
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
8-PowerVDFN
Apparaatpakket van leverancier
8-HSMT (3.2x3)
Vermogensdissipatie (max.)
2W (Ta)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
30V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
12.3 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
9.9nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
520pF @ 15V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
4.5V, 10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 30634 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanRQ3E100MNTB1
RQ3E100MNTB1 Elektronische componenten
RQ3E100MNTB1 verkoop
RQ3E100MNTB1 Leverancier
RQ3E100MNTB1 Distributeur
RQ3E100MNTB1 Data tafel
RQ3E100MNTB1 Foto's
RQ3E100MNTB1 Prijs
RQ3E100MNTB1 Aanbod
RQ3E100MNTB1 Laagste prijs
RQ3E100MNTB1 Zoekopdracht
RQ3E100MNTB1 Inkoop
RQ3E100MNTB1 Chip