RQ3E100BNTB
MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8
Onderdeel nummer
RQ3E100BNTB
Fabrikant/merk
Serie
-
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Digi-Reel®
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
8-PowerVDFN
Apparaatpakket van leverancier
8-HSMT (3.2x3)
Vermogensdissipatie (max.)
2W (Ta)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
30V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
10.4 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
1100pF @ 15V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
4.5V, 10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 27548 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanRQ3E100BNTB
RQ3E100BNTB Elektronische componenten
RQ3E100BNTB verkoop
RQ3E100BNTB Leverancier
RQ3E100BNTB Distributeur
RQ3E100BNTB Data tafel
RQ3E100BNTB Foto's
RQ3E100BNTB Prijs
RQ3E100BNTB Aanbod
RQ3E100BNTB Laagste prijs
RQ3E100BNTB Zoekopdracht
RQ3E100BNTB Inkoop
RQ3E100BNTB Chip