Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
RQ3E080GNTB
MOSFET N-CH 30V 8A 8-HSMT
Onderdeel nummer
RQ3E080GNTB
Fabrikant/merk
Serie
-
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
8-PowerVDFN
Apparaatpakket van leverancier
8-HSMT (3.2x3)
Vermogensdissipatie (max.)
2W (Ta), 15W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
30V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
8A (Ta)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
16.7 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
5.8nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
295pF @ 15V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
4.5V, 10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 27829 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanRQ3E080GNTB
RQ3E080GNTB Elektronische componenten
RQ3E080GNTB verkoop
RQ3E080GNTB Leverancier
RQ3E080GNTB Distributeur
RQ3E080GNTB Data tafel
RQ3E080GNTB Foto's
RQ3E080GNTB Prijs
RQ3E080GNTB Aanbod
RQ3E080GNTB Laagste prijs
RQ3E080GNTB Zoekopdracht
RQ3E080GNTB Inkoop
RQ3E080GNTB Chip