Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
RD3S100CNTL1

RD3S100CNTL1

NCH 190V 10A POWER MOSFET
Onderdeel nummer
RD3S100CNTL1
Fabrikant/merk
Serie
-
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Apparaatpakket van leverancier
TO-252
Vermogensdissipatie (max.)
85W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
190V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
182 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
52nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
2000pF @ 25V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
4V, 10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 43098 PCS
Contactgegevens
Trefwoorden vanRD3S100CNTL1
RD3S100CNTL1 Elektronische componenten
RD3S100CNTL1 verkoop
RD3S100CNTL1 Leverancier
RD3S100CNTL1 Distributeur
RD3S100CNTL1 Data tafel
RD3S100CNTL1 Foto's
RD3S100CNTL1 Prijs
RD3S100CNTL1 Aanbod
RD3S100CNTL1 Laagste prijs
RD3S100CNTL1 Zoekopdracht
RD3S100CNTL1 Inkoop
RD3S100CNTL1 Chip