Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
RCD100N19TL
MOSFET N-CH 190V 10A CPT3
Onderdeel nummer
RCD100N19TL
Fabrikant/merk
Serie
-
Onderdeelstatus
Not For New Designs
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Apparaatpakket van leverancier
CPT3
Vermogensdissipatie (max.)
850mW (Ta), 20W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
190V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
182 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
52nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
2000pF @ 25V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
4V, 10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 7747 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanRCD100N19TL
RCD100N19TL Elektronische componenten
RCD100N19TL verkoop
RCD100N19TL Leverancier
RCD100N19TL Distributeur
RCD100N19TL Data tafel
RCD100N19TL Foto's
RCD100N19TL Prijs
RCD100N19TL Aanbod
RCD100N19TL Laagste prijs
RCD100N19TL Zoekopdracht
RCD100N19TL Inkoop
RCD100N19TL Chip