RFD12N06RLESM9A
MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Onderdeel nummer
RFD12N06RLESM9A
Fabrikant/merk
Serie
UltraFET™
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Apparaatpakket van leverancier
TO-252AA
Vermogensdissipatie (max.)
49W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
60V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
63 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
485pF @ 25V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
4.5V, 10V
Vgs (max.)
±16V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 22597 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanRFD12N06RLESM9A
RFD12N06RLESM9A Elektronische componenten
RFD12N06RLESM9A verkoop
RFD12N06RLESM9A Leverancier
RFD12N06RLESM9A Distributeur
RFD12N06RLESM9A Data tafel
RFD12N06RLESM9A Foto's
RFD12N06RLESM9A Prijs
RFD12N06RLESM9A Aanbod
RFD12N06RLESM9A Laagste prijs
RFD12N06RLESM9A Zoekopdracht
RFD12N06RLESM9A Inkoop
RFD12N06RLESM9A Chip