Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
MVB50P03HDLT4G
INTEGRATED CIRCUIT
Onderdeel nummer
MVB50P03HDLT4G
Fabrikant/merk
Serie
Automotive, AEC-Q101
Onderdeelstatus
Last Time Buy
Verpakking
-
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Apparaatpakket van leverancier
D2PAK-3
Vermogensdissipatie (max.)
125W (Tc)
FET-type
P-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
30V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
100nC @ 5V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
4.9nF @ 25V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
5V
Vgs (max.)
±15V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 9694 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanMVB50P03HDLT4G
MVB50P03HDLT4G Elektronische componenten
MVB50P03HDLT4G verkoop
MVB50P03HDLT4G Leverancier
MVB50P03HDLT4G Distributeur
MVB50P03HDLT4G Data tafel
MVB50P03HDLT4G Foto's
MVB50P03HDLT4G Prijs
MVB50P03HDLT4G Aanbod
MVB50P03HDLT4G Laagste prijs
MVB50P03HDLT4G Zoekopdracht
MVB50P03HDLT4G Inkoop
MVB50P03HDLT4G Chip