Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
LSIC1MO120E0160
SIC MOSFET 1200V 22A TO247-3
Onderdeel nummer
LSIC1MO120E0160
Fabrikant/merk
Onderdeelstatus
Active
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Through Hole
Pakket / doos
TO-247-3
Apparaatpakket van leverancier
TO-247-3
Vermogensdissipatie (max.)
125W (Tc)
FET-type
N-Channel
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
1200V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
200 mOhm @ 10A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 5mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
57nC @ 20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
870pF @ 800V
Vgs (max.)
+22V, -6V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 35988 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanLSIC1MO120E0160
LSIC1MO120E0160 Elektronische componenten
LSIC1MO120E0160 verkoop
LSIC1MO120E0160 Leverancier
LSIC1MO120E0160 Distributeur
LSIC1MO120E0160 Data tafel
LSIC1MO120E0160 Foto's
LSIC1MO120E0160 Prijs
LSIC1MO120E0160 Aanbod
LSIC1MO120E0160 Laagste prijs
LSIC1MO120E0160 Zoekopdracht
LSIC1MO120E0160 Inkoop
LSIC1MO120E0160 Chip