Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
IXTD1R4N60P 11
MOSFET N-CH 600V
Onderdeel nummer
IXTD1R4N60P 11
Fabrikant/merk
Serie
PolarHV™
Onderdeelstatus
Obsolete
Verpakking
-
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
Die
Apparaatpakket van leverancier
Die
Vermogensdissipatie (max.)
50W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
600V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
1.4A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
9 Ohm @ 700mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 25µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
5.2nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
140pF @ 25V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
10V
Vgs (max.)
±30V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 48823 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanIXTD1R4N60P 11
IXTD1R4N60P 11 Elektronische componenten
IXTD1R4N60P 11 verkoop
IXTD1R4N60P 11 Leverancier
IXTD1R4N60P 11 Distributeur
IXTD1R4N60P 11 Data tafel
IXTD1R4N60P 11 Foto's
IXTD1R4N60P 11 Prijs
IXTD1R4N60P 11 Aanbod
IXTD1R4N60P 11 Laagste prijs
IXTD1R4N60P 11 Zoekopdracht
IXTD1R4N60P 11 Inkoop
IXTD1R4N60P 11 Chip