SPB35N10 G
MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
Onderdeel nummer
SPB35N10 G
Fabrikant/merk
Serie
SIPMOS®
Onderdeelstatus
Obsolete
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Apparaatpakket van leverancier
PG-TO263-3-2
Vermogensdissipatie (max.)
150W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
100V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
44 mOhm @ 26.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 83µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
65nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
1570pF @ 25V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 37799 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanSPB35N10 G
SPB35N10 G Elektronische componenten
SPB35N10 G verkoop
SPB35N10 G Leverancier
SPB35N10 G Distributeur
SPB35N10 G Data tafel
SPB35N10 G Foto's
SPB35N10 G Prijs
SPB35N10 G Aanbod
SPB35N10 G Laagste prijs
SPB35N10 G Zoekopdracht
SPB35N10 G Inkoop
SPB35N10 G Chip