IPP50R199CPHKSA1
MOSFET N-CH 550V TO-220
Onderdeel nummer
IPP50R199CPHKSA1
Fabrikant/merk
Serie
CoolMOS™
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Through Hole
Pakket / doos
TO-220-3
Apparaatpakket van leverancier
PG-TO220-3-1
Vermogensdissipatie (max.)
139W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
550V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
199 mOhm @ 9.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 660µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
45nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
1800pF @ 100V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 31243 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanIPP50R199CPHKSA1
IPP50R199CPHKSA1 Elektronische componenten
IPP50R199CPHKSA1 verkoop
IPP50R199CPHKSA1 Leverancier
IPP50R199CPHKSA1 Distributeur
IPP50R199CPHKSA1 Data tafel
IPP50R199CPHKSA1 Foto's
IPP50R199CPHKSA1 Prijs
IPP50R199CPHKSA1 Aanbod
IPP50R199CPHKSA1 Laagste prijs
IPP50R199CPHKSA1 Zoekopdracht
IPP50R199CPHKSA1 Inkoop
IPP50R199CPHKSA1 Chip