DMJ70H1D3SH3
MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251
Onderdeel nummer
DMJ70H1D3SH3
Fabrikant/merk
Serie
-
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Through Hole
Pakket / doos
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Apparaatpakket van leverancier
TO-251
Vermogensdissipatie (max.)
41W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
700V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
4.6A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
1.3 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
13.9nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
351pF @ 50V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
10V
Vgs (max.)
±30V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 23009 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanDMJ70H1D3SH3
DMJ70H1D3SH3 Elektronische componenten
DMJ70H1D3SH3 verkoop
DMJ70H1D3SH3 Leverancier
DMJ70H1D3SH3 Distributeur
DMJ70H1D3SH3 Data tafel
DMJ70H1D3SH3 Foto's
DMJ70H1D3SH3 Prijs
DMJ70H1D3SH3 Aanbod
DMJ70H1D3SH3 Laagste prijs
DMJ70H1D3SH3 Zoekopdracht
DMJ70H1D3SH3 Inkoop
DMJ70H1D3SH3 Chip