Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
C2M1000170D
MOSFET N-CH 1700V 4.9A TO247
Onderdeel nummer
C2M1000170D
Fabrikant/merk
Serie
Z-FET™
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tube
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Through Hole
Pakket / doos
TO-247-3
Apparaatpakket van leverancier
TO-247-3
Vermogensdissipatie (max.)
69W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
1700V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
4.9A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
1.1 Ohm @ 2A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 100µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
191pF @ 1000V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
20V
Vgs (max.)
+25V, -10V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 43020 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanC2M1000170D
C2M1000170D Elektronische componenten
C2M1000170D verkoop
C2M1000170D Leverancier
C2M1000170D Distributeur
C2M1000170D Data tafel
C2M1000170D Foto's
C2M1000170D Prijs
C2M1000170D Aanbod
C2M1000170D Laagste prijs
C2M1000170D Zoekopdracht
C2M1000170D Inkoop
C2M1000170D Chip