Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
CDBJSC101200-G
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Onderdeel nummer
CDBJSC101200-G
Fabrikant/merk
Serie
-
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
-
Montage type
Through Hole
Pakket / doos
TO-220-2
Apparaatpakket van leverancier
TO-220-2
Diodetype
Silicon Carbide Schottky
Stroom - Gemiddeld gelijkgericht (Io)
10A (DC)
Spanning - Voorwaarts (Vf) (Max) @ If
1.7V @ 10A
Stroom - omgekeerde lekkage @ Vr
100µA @ 1200V
Spanning - DC omgekeerd (Vr) (max.)
1200V
Snelheid
No Recovery Time > 500mA (Io)
Omgekeerde hersteltijd (trr)
0ns
Bedrijfstemperatuur - Verbinding
-55°C ~ 175°C
Capaciteit @ Vr, F
780pF @ 0V, 1MHz
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 42090 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanCDBJSC101200-G
CDBJSC101200-G Elektronische componenten
CDBJSC101200-G verkoop
CDBJSC101200-G Leverancier
CDBJSC101200-G Distributeur
CDBJSC101200-G Data tafel
CDBJSC101200-G Foto's
CDBJSC101200-G Prijs
CDBJSC101200-G Aanbod
CDBJSC101200-G Laagste prijs
CDBJSC101200-G Zoekopdracht
CDBJSC101200-G Inkoop
CDBJSC101200-G Chip