Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
CDBGBSC101200-G
DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER
Onderdeel nummer
CDBGBSC101200-G
Fabrikant/merk
Serie
-
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
-
Montage type
Through Hole
Pakket / doos
TO-247-3
Apparaatpakket van leverancier
TO-247
Diodetype
Silicon Carbide Schottky
Spanning - Voorwaarts (Vf) (Max) @ If
1.7V @ 5A
Stroom - omgekeerde lekkage @ Vr
100µA @ 1200V
Diodeconfiguratie
1 Pair Common Cathode
Spanning - DC omgekeerd (Vr) (max.)
1200V
Stroom - Gemiddeld gelijkgericht (Io) (per diode)
18A (DC)
Snelheid
No Recovery Time > 500mA (Io)
Omgekeerde hersteltijd (trr)
0ns
Bedrijfstemperatuur - Verbinding
-55°C ~ 175°C
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 39692 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanCDBGBSC101200-G
CDBGBSC101200-G Elektronische componenten
CDBGBSC101200-G verkoop
CDBGBSC101200-G Leverancier
CDBGBSC101200-G Distributeur
CDBGBSC101200-G Data tafel
CDBGBSC101200-G Foto's
CDBGBSC101200-G Prijs
CDBGBSC101200-G Aanbod
CDBGBSC101200-G Laagste prijs
CDBGBSC101200-G Zoekopdracht
CDBGBSC101200-G Inkoop
CDBGBSC101200-G Chip