onsemi (Ansemi)
Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
NCD57090BDWR2G
Isolated High Current Gate Driver
Onderdeel nummer
NCD57090BDWR2G
Categorie
Power Chip > Gate Driver IC
Fabrikant/merk
onsemi (Ansemi)
Inkapseling
SOIC-8-300mil
Inpakken
taping
Aantal pakketten
1000
Beschrijving
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 54265 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Half Bridge IGBT Sink 7.1A Source 7.8A Isolated High Current and High Efficiency IGBT Gate Driver with Internal Galvanic Isolation.
onsemi (Ansemi)
Half Bridge IGBT Sink Current 7.1A Source Current 7.8A Isolated High Current IGBT Gate Driver
onsemi (Ansemi)
Low Side High Side IGBT Sink Current 6.8A Source Current 7.8A IGBT Gate Drivers, High-Current, Stand-Alone
onsemi (Ansemi)
Low-Side IGBT Sink 6A Source 4A IGBT Gate Driver, High Current, Standalone
onsemi (Ansemi)
Low-Side IGBT Sink 6.8A Source 7.8A IGBT Gate Driver, High Current, Standalone
onsemi (Ansemi)
Low Side High Side IGBT Sink 6.8A Source 7.8A IGBT Gate Driver, High Current, Standalone
onsemi (Ansemi)
Half Bridge IGBT Sink 6.8A Source 7.8A IGBT Gate Driver, High Current, Independent, Non-Inverting
onsemi (Ansemi)
Half Bridge IGBT Sink Current 2.3A Source Current 1.9A Half Bridge Gate Driver (Isolated High Side & Non-Isolated Low Side)
onsemi (Ansemi)
Trefwoorden vanNCD57090BDWR2G
NCD57090BDWR2G Elektronische componenten
NCD57090BDWR2G verkoop
NCD57090BDWR2G Leverancier
NCD57090BDWR2G Distributeur
NCD57090BDWR2G Data tafel
NCD57090BDWR2G Foto's
NCD57090BDWR2G Prijs
NCD57090BDWR2G Aanbod
NCD57090BDWR2G Laagste prijs
NCD57090BDWR2G Zoekopdracht
NCD57090BDWR2G Inkoop
NCD57090BDWR2G Chip