The H11FXM series consists of an AlGaAs infrared emitting diode coupled to a symmetrical bi-directional silicon photodetector. The detector is galvanically isolated from the input like an ideally isolated FET, suitable for distortion-free control of low-level AC and DC analog signals. The H11FXM series devices are installed in a two-wire in-capsulation.
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.