VBsemi (Wei Bi)
Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
FDT457N-VB
FDT457N-VB
Onderdeel nummer
FDT457N-VB
Categorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabrikant/merk
VBsemi (Wei Bi)
Inkapseling
SOT223-3
Inpakken
taping
Aantal pakketten
2500
Beschrijving
N-channel, 30V, 7A, RDS(ON), 25mΩ@10V, 38mΩ@4.5V, 20Vgs(±V); 1.5Vth(V); SOT223
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 97499 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
N-Channel 30V 6.3A N-Channel, 2.5V Specified Enhancement Mode Field Effect Transistor, 30V, 6.3A, 45mΩ
onsemi (Ansemi)
N-Channel 30V 5A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V, 5A, 60mΩ
onsemi (Ansemi)
N-Channel 500V 2A Power MOSFET, N-Channel, UniFET II, Ultra FRFET, 500 V, 2 A, 3.0 Ω, SOT223
onsemi (Ansemi)
Trefwoorden vanFDT457N-VB
FDT457N-VB Elektronische componenten
FDT457N-VB verkoop
FDT457N-VB Leverancier
FDT457N-VB Distributeur
FDT457N-VB Data tafel
FDT457N-VB Foto's
FDT457N-VB Prijs
FDT457N-VB Aanbod
FDT457N-VB Laagste prijs
FDT457N-VB Zoekopdracht
FDT457N-VB Inkoop
FDT457N-VB Chip