Afbeelding kan een representatie zijn. Zie specificaties voor productdetails.
FDG6303N
FDG6303N
Onderdeel nummer
FDG6303N
Categorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabrikant/merk
onsemi (Ansemi)
Inkapseling
SC-70-6
Inpakken
taping
Aantal pakketten
3000
Beschrijving
These Dual N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistors are produced using Fairchild Semiconductor's proprietary high cell density DMOS technology. This very high density process is tailored to minimize on-resistance. The device is specifically designed for low-voltage applications to replace bipolar digital transistors and small-signal MOSFETS.
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.