Afbeelding kan een representatie zijn. Zie specificaties voor productdetails.
ES1D
200V 1A 35ns
Onderdeel nummer
ES1D
Categorie
Diodes > Fast Recovery/Ultra Fast Recovery Diodes
Fabrikant/merk
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
Inkapseling
SMA
Inpakken
taping
Aantal pakketten
2000
Beschrijving
Diode configuration: Independent DC reverse withstand voltage (Vr): 200V Average rectified current (Io): 1A Forward voltage drop (Vf): 950mV@1A Reverse current (Ir): 5uA@200V Reverse recovery time (trr ): 35ns Operating temperature: -65℃~+150℃@(Tj)
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.