DIODES (US and Taiwan)
Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
DGD2012S8-13
Half-bridge MOSFET sink current 1.9A source current 2.3A
Onderdeel nummer
DGD2012S8-13
Categorie
Power Chip > Gate Driver IC
Fabrikant/merk
DIODES (US and Taiwan)
Inkapseling
SO-8
Inpakken
taping
Aantal pakketten
2500
Beschrijving
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 96677 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Low side High side IGBT MOSFET sink current 600mA source current 290mA
DIODES (US and Taiwan)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 600mA source current 290mA
DIODES (US and Taiwan)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 600mA source current 290mA
DIODES (US and Taiwan)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 290mA source current 600mA
DIODES (US and Taiwan)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 600mA source current 290mA
DIODES (US and Taiwan)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 350mA source current 200mA
DIODES (US and Taiwan)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 2.3A source current 1.9A
DIODES (US and Taiwan)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 1.8A source current 1.4A
DIODES (US and Taiwan)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 4.5A source current 4.5A
DIODES (US and Taiwan)
Trefwoorden vanDGD2012S8-13
DGD2012S8-13 Elektronische componenten
DGD2012S8-13 verkoop
DGD2012S8-13 Leverancier
DGD2012S8-13 Distributeur
DGD2012S8-13 Data tafel
DGD2012S8-13 Foto's
DGD2012S8-13 Prijs
DGD2012S8-13 Aanbod
DGD2012S8-13 Laagste prijs
DGD2012S8-13 Zoekopdracht
DGD2012S8-13 Inkoop
DGD2012S8-13 Chip