MSKSEMI (Mesenco)
Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
BVSS138LT1G
BVSS138LT1G
Onderdeel nummer
BVSS138LT1G
Categorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabrikant/merk
MSKSEMI (Mesenco)
Inkapseling
SOT-23
Inpakken
taping
Aantal pakketten
3000
Beschrijving
MOS tube type: N-channel Drain-source voltage (Vdss): 55V Continuous drain current (Id): 0.3A Power (Pd): 0.35W On-resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.2mΩ@10V ,0.2A threshold voltage (Vgs(th)@Id): 0.8V-1.6V@250uA
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 88325 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
N-Channel 100V 170mA Single N-Channel Small Signal MOSFET 100V, 170mA, 6Ω
onsemi (Ansemi)
N-Channel 50V 200mA Single N-Channel Logic Level Small Signal MOSFET 50V, 200mA, 3.5Ω
onsemi (Ansemi)
P-Channel 50V 130mA Single P-Channel Logic Level Power MOSFET -50V -130mA 10Ω
onsemi (Ansemi)
Trefwoorden vanBVSS138LT1G
BVSS138LT1G Elektronische componenten
BVSS138LT1G verkoop
BVSS138LT1G Leverancier
BVSS138LT1G Distributeur
BVSS138LT1G Data tafel
BVSS138LT1G Foto's
BVSS138LT1G Prijs
BVSS138LT1G Aanbod
BVSS138LT1G Laagste prijs
BVSS138LT1G Zoekopdracht
BVSS138LT1G Inkoop
BVSS138LT1G Chip