Afbeelding kan een representatie zijn. Zie specificaties voor productdetails.
AGM085N10D
AGM085N10D
Onderdeel nummer
AGM085N10D
Categorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabrikant/merk
AGM-Semi (core control source)
Inkapseling
TO-252
Inpakken
taping
Aantal pakketten
2500
Beschrijving
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 100V Continuous Drain Current (Id): 80A Power (Pd): 78W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 8.0mΩ@10V,20A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.0V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 36.5nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 1.978nF@50V , Vds=100V Id=80A Rds=8.0mΩ, Working temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.