AGM-Semi (core control source)
Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
AGM042N10D AGM042N10D

AGM042N10D

AGM042N10D
Onderdeel nummer
AGM042N10D
Categorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabrikant/merk
AGM-Semi (core control source)
Inkapseling
TO-252
Inpakken
taping
Aantal pakketten
2500
Beschrijving
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 100V Continuous Drain Current (Id): 110A Power (Pd): 125W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 4.1mΩ@10V,20A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.8V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 65.5nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 3.58nF@50V , Vds=100V Id=110A Rds=4.1mΩ, Working temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 72141 PCS
Contactgegevens
Trefwoorden vanAGM042N10D
AGM042N10D Elektronische componenten
AGM042N10D verkoop
AGM042N10D Leverancier
AGM042N10D Distributeur
AGM042N10D Data tafel
AGM042N10D Foto's
AGM042N10D Prijs
AGM042N10D Aanbod
AGM042N10D Laagste prijs
AGM042N10D Zoekopdracht
AGM042N10D Inkoop
AGM042N10D Chip