DMJ70H900HJ3
MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251
Onderdeel nummer
DMJ70H900HJ3
Fabrikant/merk
Serie
Automotive, AEC-Q101
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Through Hole
Pakket / doos
TO-251-3, IPak, Short Leads
Apparaatpakket van leverancier
TO-251
Vermogensdissipatie (max.)
68W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
700V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
900 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
18.4nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
603pF @ 50V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
10V
Vgs (max.)
±30V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 51507 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanDMJ70H900HJ3
DMJ70H900HJ3 Elektronische componenten
DMJ70H900HJ3 verkoop
DMJ70H900HJ3 Leverancier
DMJ70H900HJ3 Distributeur
DMJ70H900HJ3 Data tafel
DMJ70H900HJ3 Foto's
DMJ70H900HJ3 Prijs
DMJ70H900HJ3 Aanbod
DMJ70H900HJ3 Laagste prijs
DMJ70H900HJ3 Zoekopdracht
DMJ70H900HJ3 Inkoop
DMJ70H900HJ3 Chip