SIHD9N60E-GE3
MOSFET N-CHANNEL 600V 9A DPAK
Onderdeel nummer
SIHD9N60E-GE3
Fabrikant/merk
Serie
E
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Apparaatpakket van leverancier
D-PAK (TO-252AA)
Vermogensdissipatie (max.)
78W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
600V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
368 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
52nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
778pF @ 100V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
10V
Vgs (max.)
±30V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 52381 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanSIHD9N60E-GE3
SIHD9N60E-GE3 Elektronische componenten
SIHD9N60E-GE3 verkoop
SIHD9N60E-GE3 Leverancier
SIHD9N60E-GE3 Distributeur
SIHD9N60E-GE3 Data tafel
SIHD9N60E-GE3 Foto's
SIHD9N60E-GE3 Prijs
SIHD9N60E-GE3 Aanbod
SIHD9N60E-GE3 Laagste prijs
SIHD9N60E-GE3 Zoekopdracht
SIHD9N60E-GE3 Inkoop
SIHD9N60E-GE3 Chip