SIHB6N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
Onderdeel nummer
SIHB6N65E-GE3
Fabrikant/merk
Serie
-
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Apparaatpakket van leverancier
D²PAK (TO-263)
Vermogensdissipatie (max.)
78W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
650V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
600 mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
48nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
820pF @ 100V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
10V
Vgs (max.)
±30V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 14956 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanSIHB6N65E-GE3
SIHB6N65E-GE3 Elektronische componenten
SIHB6N65E-GE3 verkoop
SIHB6N65E-GE3 Leverancier
SIHB6N65E-GE3 Distributeur
SIHB6N65E-GE3 Data tafel
SIHB6N65E-GE3 Foto's
SIHB6N65E-GE3 Prijs
SIHB6N65E-GE3 Aanbod
SIHB6N65E-GE3 Laagste prijs
SIHB6N65E-GE3 Zoekopdracht
SIHB6N65E-GE3 Inkoop
SIHB6N65E-GE3 Chip