SIHB35N60EF-GE3
MOSFET N-CH D2PAK TO-263
Onderdeel nummer
SIHB35N60EF-GE3
Fabrikant/merk
Serie
EF
Onderdeelstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Apparaatpakket van leverancier
D²PAK (TO-263)
Vermogensdissipatie (max.)
250W (Tc)
FET-type
N-Channel
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
600V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
97 mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
134nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
2568pF @ 100V
Vgs (max.)
±30V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
10V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 37783 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanSIHB35N60EF-GE3
SIHB35N60EF-GE3 Elektronische componenten
SIHB35N60EF-GE3 verkoop
SIHB35N60EF-GE3 Leverancier
SIHB35N60EF-GE3 Distributeur
SIHB35N60EF-GE3 Data tafel
SIHB35N60EF-GE3 Foto's
SIHB35N60EF-GE3 Prijs
SIHB35N60EF-GE3 Aanbod
SIHB35N60EF-GE3 Laagste prijs
SIHB35N60EF-GE3 Zoekopdracht
SIHB35N60EF-GE3 Inkoop
SIHB35N60EF-GE3 Chip