SIHB20N50E-GE3
MOSFET N-CH 500V 19A TO-263
Onderdeel nummer
SIHB20N50E-GE3
Fabrikant/merk
Serie
-
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Bulk
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Apparaatpakket van leverancier
D²PAK (TO-263)
Vermogensdissipatie (max.)
179W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
500V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
184 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
92nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
1640pF @ 100V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
10V
Vgs (max.)
±30V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 23472 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanSIHB20N50E-GE3
SIHB20N50E-GE3 Elektronische componenten
SIHB20N50E-GE3 verkoop
SIHB20N50E-GE3 Leverancier
SIHB20N50E-GE3 Distributeur
SIHB20N50E-GE3 Data tafel
SIHB20N50E-GE3 Foto's
SIHB20N50E-GE3 Prijs
SIHB20N50E-GE3 Aanbod
SIHB20N50E-GE3 Laagste prijs
SIHB20N50E-GE3 Zoekopdracht
SIHB20N50E-GE3 Inkoop
SIHB20N50E-GE3 Chip