Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
SIB412DK-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6
Onderdeel nummer
SIB412DK-T1-E3
Fabrikant/merk
Serie
TrenchFET®
Onderdeelstatus
Obsolete
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
PowerPAK® SC-75-6L
Apparaatpakket van leverancier
PowerPAK® SC-75-6L Single
Vermogensdissipatie (max.)
2.4W (Ta), 13W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
20V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
34 mOhm @ 6.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
10.16nC @ 5V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
535pF @ 10V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
1.8V, 4.5V
Vgs (max.)
±8V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 45921 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanSIB412DK-T1-E3
SIB412DK-T1-E3 Elektronische componenten
SIB412DK-T1-E3 verkoop
SIB412DK-T1-E3 Leverancier
SIB412DK-T1-E3 Distributeur
SIB412DK-T1-E3 Data tafel
SIB412DK-T1-E3 Foto's
SIB412DK-T1-E3 Prijs
SIB412DK-T1-E3 Aanbod
SIB412DK-T1-E3 Laagste prijs
SIB412DK-T1-E3 Zoekopdracht
SIB412DK-T1-E3 Inkoop
SIB412DK-T1-E3 Chip